计算机辅助设计与图形学学报

作者：郭靖, 李强, 宿晓慧, 孙宇

关键词：纳米集成电路, 抗辐射加固设计, 锁存器, 多节点翻转

在纳米数字锁存器中,多节点翻转(multiple-node upset,MNU)正持续增加.虽然现有基于互连单元的抗辐射加固设计(radiation hardening by design,RHBD)的锁存器可以恢复所有MNU,但是需要更多的敏感节点和晶体管.为了在获得高可靠性的同时降低硬件开销,提出利用辐射翻转机制进行加固的方法.首先,通过使用屏蔽晶体管减少敏感节点,进而降低使用的晶体管数;然后,将2个单元内的上拉晶体管进行交叉互连,从而构造出一个可抗MNU翻转的RHBD锁存器.在65 nm工艺下,与现有基于互连技术的RHBD锁存器相比,提出的RHBD锁存器可平均减少12.82%的面积,319.22%的延迟和10.66%的功耗.

来源：2021年第6期

《计算机辅助设计与图形学学报》期刊编辑部

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