该杂志刊期列表
- 2026年
- 1期
国内刊号:11-2925/TP
国际刊号:1003-9775
发布日期:
作者:王超, 查晓婧, 夏银水
关键词:忆阻器, 神经网络, 忆阻器阵列模型, 电压降
由于忆阻器交叉阵列自身的模拟特性可高效实现乘累加运算,因此,它被广泛用于构建神经形态计算系统的硬件加速器.然而,纳米线电阻的存在,会引起忆阻器与纳米线构成的电阻网络出现电压降问题,导致忆阻器阵列的输出信号损失而影响神经网络的精度.分析忆阻器电压降与忆阻器状态、位置,输出电流和输出位置的关系,通过稀疏映射优化电压降,并采用输出补偿进一步提高输出精度.仿真实验的结果表明,该方法可以有效地解决电压降引起的问题,忆阻神经网络在手写数字数据集MNIST的识别率达到95.8%,较优化前提升了33.5%.
来源:2023年第4期
《计算机辅助设计与图形学学报》期刊编辑部